AI服務器需求量到底有多大？關于這一問題的答案，近期業(yè)內缺少共識。

“我之前說過，預計到2030年，數據中心建設投入的金額將達1萬億美元，現在我確信我們會很快實現這一目標。”英偉達CEO黃仁勛近日在GTC大會上表達對算力需求的信心。

不過，黃仁勛話音剛落，3月24日，高盛分析團隊就下調了機架級AI服務器銷量預測。由于產品過渡期影響和供需不確定性等，高盛將機架級AI服務器2025年、2026預期出貨量從3.1萬臺、6.6萬臺下調至1.9萬臺、5.7萬臺。接著，3月25日，阿里巴巴集團主席蔡崇信表示，開始看到人工智能數據中心建設出現泡沫苗頭，美國許多數據中心投資公告都是“重復”或相互重疊。3月25日，港股多只AI基建概念股應聲而跌。

AI服務器能在多大程度上拉動數據中心建設？供應鏈上，近日多名存儲廠商負責人告訴第一財經記者，他們看到今年數據中心服務器對存儲需求的強度與去年相仿。

實際上，為了在數據中心需求增長的過程中爭奪市場，存儲產業(yè)已在進行一場深刻的調整，其中不僅涉及技術變遷，還牽扯到持續(xù)多年的NAND堆疊競爭。

數據中心的需求是真的嗎？

從公開信息看科技巨頭的投資，數據中心建設帶有一些不確定性。

根據已披露的資本支出數據統(tǒng)計，市場研究機構TechInsights表示，頂級超大規(guī)模云服務商今年將在AI上投資約3200億美元，投資不減。在國內，阿里巴巴已計劃未來三年投入3800億元用于AI和云計算基礎設施建設，騰訊透露今年還將進一步增加資本支出。

不過，與此同時，一些縮減數據中心建設消息傳出。有消息稱，微軟已放棄美國和歐洲原定使用2千兆瓦電力的新數據中心項目，原因是AI計算機集群供應過剩。微軟回應，公司可能會在某些領域調整戰(zhàn)略步伐或調整基礎設施，但仍將在所有地區(qū)繼續(xù)強勁增長。

紛繁的市場消息下，數據中心服務器供應鏈上的存儲廠商，對真實需求已有判斷。SSD（固態(tài)硬盤）主控芯片廠商慧榮科技總經理茍嘉章告訴記者，今年數據中心對存儲需求的強度與去年大致一樣，下半年需求可能還會比上半年更好。除了大型跨國企業(yè)在投入數據中心建設，馬來西亞、印度尼西亞、沙特阿拉伯等多國也在布局國家數據中心。

鎧俠電子（中國）董事長兼總裁岡本成之也有類似感受。他告訴記者，眼下AI數據中心服務器相關的需求較為強勁，特別是北美市場。中國數據中心服務器市場的情況雖然與美國不太一樣，但整體需求也不錯。鎧俠預計全年數據中心需求非常堅挺。

NAND閃存廠商預判，服務器需求增長將成為拉動NAND市場回暖的主要動力。鎧俠電子（中國）副總裁天野竜二告訴記者，今年上半年手機和 PC 的需求不是那么強勁，但如果考慮到服務器需求較好，鎧俠認為今年全年 NAND 市場增長將在10%~15%左右。

數據中心AI服務器的另一變化在于，服務器類型變了。鎧俠株式會社首席技術執(zhí)行官柳茂知告訴記者，市面上出現各種AI服務器，此前以訓練型、學習型服務器為主，近段時間受DeepSeek等AI模型推動，出現越來越多推理型服務器。鎧俠預計每臺AI推理型服務器搭載的存儲容量比學習型服務器小，但服務器臺數會增加，這對需求將有所拉動。

除了數據中心市場，今年1月DeepSeek走紅之后，更多存儲廠商認為端側硬件市場也將迎來變化，一個明顯的改變是硬件需要更大存儲容量。茍嘉章告訴記者，今年PC OEM（代工廠）已準備推出搭載4T存儲的產品，手機存儲未來的里程碑則是2T存儲被采用。對于AI PC，美光集團副總裁Dinesh Bahal在MemoryS 2025演講中表示，未來AI PC將需要比當前PC多出80%的內存容量。

“以往以美國公司為主的AI企業(yè)很重視算力硬件，其背后，模型訓練十分昂貴。DeepSeek帶來一種更節(jié)省成本的邏輯，對端側AI應用造成深遠影響。” 茍嘉章告訴記者，以往AI PC等概念還像是口號，DeepSeek出來之后，市場真正看到SLM（小模型）能實現，這將帶動更多端側AI應用出現。

在此情況下，一些廠商和機構對硬件設備搭載AI的情況作出最新預計。Dinesh Bahal預計，2025年將有43%的PC具備AI能力，到2028年，這一比例將上升至64%。鎧俠預計，預計2028年智能手機的AI搭載率將達到約一半，PC的AI搭載率將達到1/3。

向垂直和水平方向要密度

AI為半導體市場帶來的改變不僅是處理器市場向GPU傾斜、內存市場向HBM（高帶寬內存）傾斜，近期，更多廠商也看到閃存市場發(fā)生的深刻調整。

最主要的兩類存儲半導體是DRAM、NAND Flash，HBM從屬于前者，屬于內存產品，與高性能GPU搭配使用可減少數據傳輸延遲。NAND Flash則是閃存，可制成SSD，在AI服務器中用于存儲模型參數、知識庫等。

茍嘉章告訴記者，端側AI應用對存儲提出更多要求，雖然存儲不做運算，但運行模型涉及存儲數據讀寫。未來隨著NAND層數增加，DDR（一種內存技術）工作頻率會從3600MHz變?yōu)?000MHz起跳，主控芯片需滿足閃存性能要求，主控芯片廠商還需要投入新技術研發(fā)，用于提升高密度存儲可靠性。三星電子軟件開發(fā)團隊執(zhí)行副總裁吳文旭也認為，隨著生成式AI向多模態(tài)融合加速演進，對存儲設備性能速度、容量、能效優(yōu)化提出更高的要求。

NAND閃存廠商增加存儲密度、降低功耗的趨勢近期變得愈加明確。

與CPU、GPU這類處理器芯片相似，存儲半導體也通過采用先進制程來提升性能并降低功耗，除此之外，存儲半導體更早走上3D堆疊的道路。HBM就是由多個DRAM堆疊而成，NAND堆疊層數也已達200層以上。垂直方向堆疊可增加單位面積存儲容量并優(yōu)化功耗表現，在水平層面，NAND閃存廠商則通過增加每個存儲單元存儲的數據量來提升存儲密度。從SLC、MLC、TLC到QLC技術，每個存儲單元能存儲的數據更多。

記者留意到，QLC成為近期NAND閃存市場的關鍵詞。無論是SSD主控芯片廠商，還是長江存儲、鎧俠、Solidigm這種NAND閃存或SSD廠商，都在極力推廣QLC產品。

“AI應用越來越多，端側不論是AI PC還是AI手機，存儲密度都會增加，這就是為什么很多廠商很著急地在推QLC。QLC可以增加存儲密度，相對TLC可以有更好的性價比。” 茍嘉章告訴記者。

Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰稱，企業(yè)級QLC SSD受關注的背景是，去年起很多地區(qū)數據中心企業(yè)級客戶加大AIGC基礎設施建設，導致空間、能耗、算力與存力問題凸顯。

“我們最近與客戶的溝通中都會聊到DeepSeek，發(fā)現大家對中國存儲市場比較期待，但關于AI如何實現更大價值，客戶還在思考和討論。我們關注的一個方向，是基于QLC的大容量存儲產品能否在AI存儲領域進一步推廣。” 天野竜二告訴記者。柳茂知解釋，因AI需求增加，市場對GPU服務器的投資急劇增長，AI服務器空間有限且需要控制電力消耗，對SSD的要求往往是大容量、高密度且節(jié)能，QLC SSD因此非常合適。

在水平層面要密度，鍵合技術也成為關鍵技術。較早布局鍵合技術的NAND閃存廠商是長江存儲。2018年，長江存儲推出Xtacking架構，采用混合鍵合技術。

長江存儲市場負責人范增緒解釋，這種架構將存儲陣列和存儲外圍邏輯電路分別設計加工制造，再用混合鍵合方式結合成一個整體，特點是IO速度更快、存儲密度更高等。“一些友商原廠在最新一代產品或未來產品路線圖上，也采用了類似架構。”范增緒表示。

去年鎧俠推出CBA架構，CBA也是一種鍵合技術。鎧俠電子（中國）閃存顆粒技術統(tǒng)括部總經理大久保貴史告訴記者，要提高存儲密度不僅要提高層數，還可以橫向縮小。由于提高堆疊層數增加的成本和技術難度較大，鎧俠也在推進包括水平方向在內的位密度提升。為此鎧俠引進CBA，以便縮小NAND Cell（存儲單元） 尺寸。

布局鍵合技術的不僅長江存儲和鎧俠，三星也在400層NAND產品中應用鍵合技術。近期有消息稱，三星電子與長江存儲達成了一項3D NAND混合鍵合專利許可協議，用于三星下一代堆疊層數400層以上的閃存芯片研發(fā)，三星電子和長江存儲未回應此消息。

邁向400層

要增加存儲密度并優(yōu)化功耗表現，NAND 3D堆疊的競爭也十分激烈。近期，戰(zhàn)火開始燃到400層。

去年11月，SK海力士宣布開始量產全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存，不久后，三星電子的半導體研究所就開發(fā)出400層NAND閃存技術。三星電子在今年2月的國際固態(tài)電路會議上展示了400層 TLC NAND的一些信息，該產品仍待量產。有消息稱，SK海力士也在研發(fā)400層NAND技術，并計劃在2025年年底前為大規(guī)模生產做好準備。往后看，“堆疊戰(zhàn)”還會持續(xù)下去，2030年前后，三星和鎧俠都計劃向1000層NAND閃存邁進。

“NAND閃存產品的層數正從270層、290層左右一下跳到400層以上。層數迭代的節(jié)奏大約是三年一代。” 茍嘉章告訴記者，400層NAND閃存產品預計會在今年下半年，或者在今年底、明年初面世，量產時間則預計是在2026年下半年。

NAND閃存原廠的資本支出也在逐漸傾向于先進產能。“原廠在產能資本支出上正在減少，同時存儲技術朝更先進制程遷移。” CFM閃存市場總經理邰煒觀察到，在供應端，整體wafer（晶圓）產出相比以往的增量將明顯減少，存儲原廠的資本支出將更多投入更先進的封裝技術或產品研發(fā)上，更側重HBM、1c、1γ和200層、300層這些先進產能。

生產計劃上，NAND閃存廠商則選擇循序漸進。天野竜二告訴記者，鎧俠目前主流產品的層數是BiCS5（112層），預計到明年3月前，BiCS5和BiCS8（218層）是最主要出貨的產品，2025年鎧俠的設備投資則將以218層產品為主。

天野竜二表示，BiCS8目前主要在日本中部地區(qū)三重縣四日市的工廠生產。今年秋天起，鎧俠會在日本東北地區(qū)的北上工廠第二個Fab工廠開始生產218層。今年2月，鎧俠推出BiCS10（332層），BiCS10量產時間未定，會根據市場情況決定。

望向更高層數，天野竜二告訴記者，隨著NAND層數增加，蝕刻難度增加，鎧俠最主要的努力之一是提升蝕刻工藝。大久保貴史則告訴記者，從技術上看，1000層以上NAND是可以實現的，但取得性能和成本之間的適當平衡非常重要。隨著層數上升，難度上升，成本也大幅上升，因此研發(fā)1000層以上NAND還要看市場對于密度、容量的需求。

也有業(yè)內人士認為，雖然NAND閃存廠商未來將推出的產品在密度和功耗上有更好表現，但要在AI數據中心使用仍需一個過程。茍嘉章告訴記者，預計新一代NAND不會一開始就面向數據中心，因為數據中心需要的是穩(wěn)定、經市場驗證的技術，新一代NAND可能會先面向對速度要求較高的手機。

（實習生屠佳若對此文亦有貢獻）

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