69久久99精品久久久久婷婷,女同一区二区免费aⅴ,污视频在线看网站,av小说在线播放

幣圈網

變革中的閃存市場,NAND“堆疊戰(zhàn)”打到了400層

AI服務器需求量到底有多大?關于這一問題的答案,近期業(yè)內缺少共識。

“我之前說過,預計到2030年,數據中心建設投入的金額將達1萬億美元,現在我確信我們會很快實現這一目標。”英偉達CEO黃仁勛近日在GTC大會上表達對算力需求的信心。

不過,黃仁勛話音剛落,3月24日,高盛分析團隊就下調了機架級AI服務器銷量預測。由于產品過渡期影響和供需不確定性等,高盛將機架級AI服務器2025年、2026預期出貨量從3.1萬臺、6.6萬臺下調至1.9萬臺、5.7萬臺。接著,3月25日,阿里巴巴集團主席蔡崇信表示,開始看到人工智能數據中心建設出現泡沫苗頭,美國許多數據中心投資公告都是“重復”或相互重疊。3月25日,港股多只AI基建概念股應聲而跌。

AI服務器能在多大程度上拉動數據中心建設?供應鏈上,近日多名存儲廠商負責人告訴第一財經記者,他們看到今年數據中心服務器對存儲需求的強度與去年相仿。

實際上,為了在數據中心需求增長的過程中爭奪市場,存儲產業(yè)已在進行一場深刻的調整,其中不僅涉及技術變遷,還牽扯到持續(xù)多年的NAND堆疊競爭。

數據中心的需求是真的嗎?

從公開信息看科技巨頭的投資,數據中心建設帶有一些不確定性。

根據已披露的資本支出數據統(tǒng)計,市場研究機構TechInsights表示,頂級超大規(guī)模云服務商今年將在AI上投資約3200億美元,投資不減。在國內,阿里巴巴已計劃未來三年投入3800億元用于AI和云計算基礎設施建設,騰訊透露今年還將進一步增加資本支出。

不過,與此同時,一些縮減數據中心建設消息傳出。有消息稱,微軟已放棄美國和歐洲原定使用2千兆瓦電力的新數據中心項目,原因是AI計算機集群供應過剩。微軟回應,公司可能會在某些領域調整戰(zhàn)略步伐或調整基礎設施,但仍將在所有地區(qū)繼續(xù)強勁增長。

紛繁的市場消息下,數據中心服務器供應鏈上的存儲廠商,對真實需求已有判斷。SSD(固態(tài)硬盤)主控芯片廠商慧榮科技總經理茍嘉章告訴記者,今年數據中心對存儲需求的強度與去年大致一樣,下半年需求可能還會比上半年更好。除了大型跨國企業(yè)在投入數據中心建設,馬來西亞、印度尼西亞、沙特阿拉伯等多國也在布局國家數據中心。

鎧俠電子(中國)董事長兼總裁岡本成之也有類似感受。他告訴記者,眼下AI數據中心服務器相關的需求較為強勁,特別是北美市場。中國數據中心服務器市場的情況雖然與美國不太一樣,但整體需求也不錯。鎧俠預計全年數據中心需求非常堅挺。

NAND閃存廠商預判,服務器需求增長將成為拉動NAND市場回暖的主要動力。鎧俠電子(中國)副總裁天野竜二告訴記者,今年上半年手機和 PC 的需求不是那么強勁,但如果考慮到服務器需求較好,鎧俠認為今年全年 NAND 市場增長將在10%~15%左右。

數據中心AI服務器的另一變化在于,服務器類型變了。鎧俠株式會社首席技術執(zhí)行官柳茂知告訴記者,市面上出現各種AI服務器,此前以訓練型、學習型服務器為主,近段時間受DeepSeek等AI模型推動,出現越來越多推理型服務器。鎧俠預計每臺AI推理型服務器搭載的存儲容量比學習型服務器小,但服務器臺數會增加,這對需求將有所拉動。

除了數據中心市場,今年1月DeepSeek走紅之后,更多存儲廠商認為端側硬件市場也將迎來變化,一個明顯的改變是硬件需要更大存儲容量。茍嘉章告訴記者,今年PC OEM(代工廠)已準備推出搭載4T存儲的產品,手機存儲未來的里程碑則是2T存儲被采用。對于AI PC,美光集團副總裁Dinesh Bahal在MemoryS 2025演講中表示,未來AI PC將需要比當前PC多出80%的內存容量。

“以往以美國公司為主的AI企業(yè)很重視算力硬件,其背后,模型訓練十分昂貴。DeepSeek帶來一種更節(jié)省成本的邏輯,對端側AI應用造成深遠影響。” 茍嘉章告訴記者,以往AI PC等概念還像是口號,DeepSeek出來之后,市場真正看到SLM(小模型)能實現,這將帶動更多端側AI應用出現。

在此情況下,一些廠商和機構對硬件設備搭載AI的情況作出最新預計。Dinesh Bahal預計,2025年將有43%的PC具備AI能力,到2028年,這一比例將上升至64%。鎧俠預計,預計2028年智能手機的AI搭載率將達到約一半,PC的AI搭載率將達到1/3。

向垂直和水平方向要密度

AI為半導體市場帶來的改變不僅是處理器市場向GPU傾斜、內存市場向HBM(高帶寬內存)傾斜,近期,更多廠商也看到閃存市場發(fā)生的深刻調整。

最主要的兩類存儲半導體是DRAM、NAND Flash,HBM從屬于前者,屬于內存產品,與高性能GPU搭配使用可減少數據傳輸延遲。NAND Flash則是閃存,可制成SSD,在AI服務器中用于存儲模型參數、知識庫等。

茍嘉章告訴記者,端側AI應用對存儲提出更多要求,雖然存儲不做運算,但運行模型涉及存儲數據讀寫。未來隨著NAND層數增加,DDR(一種內存技術)工作頻率會從3600MHz變?yōu)?000MHz起跳,主控芯片需滿足閃存性能要求,主控芯片廠商還需要投入新技術研發(fā),用于提升高密度存儲可靠性。三星電子軟件開發(fā)團隊執(zhí)行副總裁吳文旭也認為,隨著生成式AI向多模態(tài)融合加速演進,對存儲設備性能速度、容量、能效優(yōu)化提出更高的要求。

NAND閃存廠商增加存儲密度、降低功耗的趨勢近期變得愈加明確。

與CPU、GPU這類處理器芯片相似,存儲半導體也通過采用先進制程來提升性能并降低功耗,除此之外,存儲半導體更早走上3D堆疊的道路。HBM就是由多個DRAM堆疊而成,NAND堆疊層數也已達200層以上。垂直方向堆疊可增加單位面積存儲容量并優(yōu)化功耗表現,在水平層面,NAND閃存廠商則通過增加每個存儲單元存儲的數據量來提升存儲密度。從SLC、MLC、TLC到QLC技術,每個存儲單元能存儲的數據更多。

記者留意到,QLC成為近期NAND閃存市場的關鍵詞。無論是SSD主控芯片廠商,還是長江存儲、鎧俠、Solidigm這種NAND閃存或SSD廠商,都在極力推廣QLC產品。

“AI應用越來越多,端側不論是AI PC還是AI手機,存儲密度都會增加,這就是為什么很多廠商很著急地在推QLC。QLC可以增加存儲密度,相對TLC可以有更好的性價比。” 茍嘉章告訴記者。

Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰稱,企業(yè)級QLC SSD受關注的背景是,去年起很多地區(qū)數據中心企業(yè)級客戶加大AIGC基礎設施建設,導致空間、能耗、算力與存力問題凸顯。

“我們最近與客戶的溝通中都會聊到DeepSeek,發(fā)現大家對中國存儲市場比較期待,但關于AI如何實現更大價值,客戶還在思考和討論。我們關注的一個方向,是基于QLC的大容量存儲產品能否在AI存儲領域進一步推廣。” 天野竜二告訴記者。柳茂知解釋,因AI需求增加,市場對GPU服務器的投資急劇增長,AI服務器空間有限且需要控制電力消耗,對SSD的要求往往是大容量、高密度且節(jié)能,QLC SSD因此非常合適。

在水平層面要密度,鍵合技術也成為關鍵技術。較早布局鍵合技術的NAND閃存廠商是長江存儲。2018年,長江存儲推出Xtacking架構,采用混合鍵合技術。

長江存儲市場負責人范增緒解釋,這種架構將存儲陣列和存儲外圍邏輯電路分別設計加工制造,再用混合鍵合方式結合成一個整體,特點是IO速度更快、存儲密度更高等。“一些友商原廠在最新一代產品或未來產品路線圖上,也采用了類似架構。”范增緒表示。

去年鎧俠推出CBA架構,CBA也是一種鍵合技術。鎧俠電子(中國)閃存顆粒技術統(tǒng)括部總經理大久保貴史告訴記者,要提高存儲密度不僅要提高層數,還可以橫向縮小。由于提高堆疊層數增加的成本和技術難度較大,鎧俠也在推進包括水平方向在內的位密度提升。為此鎧俠引進CBA,以便縮小NAND Cell(存儲單元) 尺寸。

布局鍵合技術的不僅長江存儲和鎧俠,三星也在400層NAND產品中應用鍵合技術。近期有消息稱,三星電子與長江存儲達成了一項3D NAND混合鍵合專利許可協議,用于三星下一代堆疊層數400層以上的閃存芯片研發(fā),三星電子和長江存儲未回應此消息。

邁向400層

要增加存儲密度并優(yōu)化功耗表現,NAND 3D堆疊的競爭也十分激烈。近期,戰(zhàn)火開始燃到400層。

去年11月,SK海力士宣布開始量產全球最高的321層1Tb TLC 4D NAND閃存,不久后,三星電子的半導體研究所就開發(fā)出400層NAND閃存技術。三星電子在今年2月的國際固態(tài)電路會議上展示了400層 TLC NAND的一些信息,該產品仍待量產。有消息稱,SK海力士也在研發(fā)400層NAND技術,并計劃在2025年年底前為大規(guī)模生產做好準備。往后看,“堆疊戰(zhàn)”還會持續(xù)下去,2030年前后,三星和鎧俠都計劃向1000層NAND閃存邁進。

“NAND閃存產品的層數正從270層、290層左右一下跳到400層以上。層數迭代的節(jié)奏大約是三年一代。” 茍嘉章告訴記者,400層NAND閃存產品預計會在今年下半年,或者在今年底、明年初面世,量產時間則預計是在2026年下半年。

NAND閃存原廠的資本支出也在逐漸傾向于先進產能。“原廠在產能資本支出上正在減少,同時存儲技術朝更先進制程遷移。” CFM閃存市場總經理邰煒觀察到,在供應端,整體wafer(晶圓)產出相比以往的增量將明顯減少,存儲原廠的資本支出將更多投入更先進的封裝技術或產品研發(fā)上,更側重HBM、1c、1γ和200層、300層這些先進產能。

生產計劃上,NAND閃存廠商則選擇循序漸進。天野竜二告訴記者,鎧俠目前主流產品的層數是BiCS5(112層),預計到明年3月前,BiCS5和BiCS8(218層)是最主要出貨的產品,2025年鎧俠的設備投資則將以218層產品為主。

天野竜二表示,BiCS8目前主要在日本中部地區(qū)三重縣四日市的工廠生產。今年秋天起,鎧俠會在日本東北地區(qū)的北上工廠第二個Fab工廠開始生產218層。今年2月,鎧俠推出BiCS10(332層),BiCS10量產時間未定,會根據市場情況決定。

望向更高層數,天野竜二告訴記者,隨著NAND層數增加,蝕刻難度增加,鎧俠最主要的努力之一是提升蝕刻工藝。大久保貴史則告訴記者,從技術上看,1000層以上NAND是可以實現的,但取得性能和成本之間的適當平衡非常重要。隨著層數上升,難度上升,成本也大幅上升,因此研發(fā)1000層以上NAND還要看市場對于密度、容量的需求。

也有業(yè)內人士認為,雖然NAND閃存廠商未來將推出的產品在密度和功耗上有更好表現,但要在AI數據中心使用仍需一個過程。茍嘉章告訴記者,預計新一代NAND不會一開始就面向數據中心,因為數據中心需要的是穩(wěn)定、經市場驗證的技術,新一代NAND可能會先面向對速度要求較高的手機。

(實習生屠佳若對此文亦有貢獻)

幫企客致力于為您提供最新最全的財經資訊,想了解更多行業(yè)動態(tài),歡迎關注本站。

鄭重聲明:本文版權歸原作者所有,轉載文章僅為傳播更多信息之目的,如作者信息標記有誤,請第一時間聯系我們修改或刪除,多謝。

主站蜘蛛池模板: 都江堰市| 房产| 横山县| 龙泉市| 永和县| 潼南县| 龙南县| 恩施市| 星子县| 靖远县| 吴忠市| 乌什县| 扎囊县| 彰武县| 内乡县| 贺州市| 同仁县| 正蓝旗| 克什克腾旗| 深泽县| 新巴尔虎左旗| 镇宁| 漠河县| 凤凰县| 渝北区| 松原市| 和龙市| 盈江县| 屏山县| 边坝县| 鄄城县| 南汇区| 壤塘县| 饶阳县| 肥东县| 苍梧县| 特克斯县| 麻城市| 宁德市| 育儿| 綦江县|