4月1日，意法半導體（ST Microelectronics，簡稱ST；NYSE:STM）與英諾賽科（02577.HK）宣布簽署了一項協議，雙方將在氮化鎵晶圓制造上進行合作。
根據協議，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿足更廣泛的應用場景下的各種客戶需求。
氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉換、運動控制與驅動系統樹立了性能新標桿，可顯著降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數據中心、工業電源與光伏逆變器領域迅速普及，并因其顯著的輕量化優勢，被積極應用于下一代電動汽車動力系統設計中。
截至發稿，英諾賽科4月1日股價先跌后反彈，目前在42.4港元/股附近。
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