本站4月9日消息，據(jù)報道，SK海力士在DRAM芯片技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，其1cnm工藝DRAM芯片良品率已從去年下半年的60%快速提升至80%-90%的行業(yè)領(lǐng)先水平。
這一技術(shù)突破正值A(chǔ)I浪潮推動高性能存儲需求激增的關(guān)鍵時期，有望幫助SK海力士在消費級和數(shù)據(jù)中心市場建立技術(shù)優(yōu)勢，挑戰(zhàn)三星在DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
采用1cnm工藝制造的DDR5 DRAM芯片展現(xiàn)出顯著性能提升：運行速率達到8Gbps，較前代產(chǎn)品提升11%；能效提高9%以上；通過設(shè)計技術(shù)革新，生產(chǎn)效率提升超過30%。
SK海力士通過應(yīng)用新型材料和優(yōu)化EUV工藝，在提升性能的同時保持了成本競爭力。據(jù)估算，數(shù)據(jù)中心采用該芯片后有望節(jié)省30%以上的電力成本。
盡管具體上市時間尚未確定，但這一技術(shù)突破已為下一代高性能存儲解決方案奠定了基礎(chǔ)。隨著良品率的持續(xù)提升和產(chǎn)能的逐步擴大，1cnm DRAM芯片有望重塑存儲市場格局，為AI時代的數(shù)據(jù)處理需求提供更強大的支持。
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