本站4月10日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已經(jīng)成立1nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開(kāi)發(fā)其下一代1nm工藝節(jié)點(diǎn)，目標(biāo)是在2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
報(bào)道稱(chēng)，三星電子半導(dǎo)體研究所已經(jīng)開(kāi)始著手研發(fā)1nm工藝，部分曾參與2nm工藝研發(fā)的人員被抽調(diào)至該團(tuán)隊(duì)。
三星對(duì)1nm工藝寄予厚望，希望借此在高端芯片市場(chǎng)取得領(lǐng)先地位。
1nm工藝被三星稱(chēng)為“夢(mèng)想中的半導(dǎo)體工藝”，其研發(fā)需要引入全新的技術(shù)概念和高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）設(shè)備，目前三星尚未明確是否已訂購(gòu)這些先進(jìn)設(shè)備。
三星的這一計(jì)劃是為了在與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)中實(shí)現(xiàn)“技術(shù)翻盤(pán)”，臺(tái)積電在先進(jìn)制程方面一直處于領(lǐng)先地位，其2nm工藝預(yù)計(jì)將于2026年下半年量產(chǎn)，而1nm工藝也在開(kāi)發(fā)中。
相比之下，三星的2nm工藝良率仍低于臺(tái)積電，三星的1.4nm工藝預(yù)計(jì)將于2027年量產(chǎn)。
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