本站4月17日消息，日前，復(fù)旦大學(xué)宣布，時(shí)隔2周，繼二維半導(dǎo)體芯片之后，復(fù)旦集成電路領(lǐng)域再獲關(guān)鍵突破。
據(jù)介紹，復(fù)旦大學(xué)周鵬、劉春森團(tuán)隊(duì)通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，在理論上預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象，打破了現(xiàn)有存儲(chǔ)速度的理論極限，研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件。
其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒），相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作，性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù)。
相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》為題在《自然》期刊上發(fā)表。
據(jù)了解，這是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)、計(jì)算速度相當(dāng)，在完成規(guī)模化集成后有望徹底顛覆現(xiàn)有的存儲(chǔ)器架構(gòu)。
在該技術(shù)基礎(chǔ)上，未來的個(gè)人電腦將不存在內(nèi)存和外存的概念，無需分層存儲(chǔ)，還能實(shí)現(xiàn)AI大模型的本地部署。
團(tuán)隊(duì)將“破曉”與CMOS結(jié)合，以此打造出的Kb級(jí)芯片目前已成功流片，下一步，計(jì)劃在3-5年將其集成到幾十兆的水平，屆時(shí)可授權(quán)給企業(yè)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化。
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