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要與臺積電一較高下!Intel 18A更多細節曝光:速度提升25%、功耗降低36%

本站4月21日消息,英特爾在2025年VLSI研討會上披露了更多關于其最新的Intel 18A制程的細節。

最新資料顯示,Intel 18A提供了高性能(HP)和高密度(HD)庫,具有全功能的技術設計功能和增強的設計易用性。

在PPA(性能、功耗、面積)比較中,Intel 18A在標準Arm核心架構的芯片上,1.1V電壓下實現了25%的速度提升和36%的功耗降低。

此外,Intel 18A的面積利用率比Intel 3更高,這意味著該制程可以實現更好的面積效率和更高密度設計的潛力。

英特爾官網此前公布的資料顯示,Intel 18A采用了RibbonFET環繞柵極晶體管(GAA)技術,可實現電流的精確控制,同時還率先采用了業界首創的PowerVia背面供電技術。

英特爾還展示了電壓下降圖,描繪了高性能條件下節點的穩定性,由于Intel 18A的PowerVia供電技術,該制程能夠提供更穩定的電力傳輸。

比較顯示,通過背面供電技術,英特爾實現了更緊密的單元封裝,并提高了面積效率,這主要是因為相比正面布線釋放了更多空間。

從目前披露的信息來看,如果良率沒有問題,Intel 18A制程將成為臺積電2nm制程的有力競爭者。

市場預計,Intel 18A將首先應用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU,預計最早在2026年看到終端產品的出現。

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