4月23日，2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（下稱“九峰山論壇”）在武漢開幕。連續(xù)舉辦三屆的九峰山論壇已成為國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的標(biāo)桿性展會(huì)。本次論壇共有來自10多個(gè)國家的近300家企業(yè)參展，首次設(shè)立的全國科研機(jī)構(gòu)展區(qū)也吸引了十余家頂尖科研機(jī)構(gòu)集中亮相。

中國工程院院士、華中科技大學(xué)校長尤政表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局正加速重組，以碳化硅、氮化鎵等為代表的化合物半導(dǎo)體憑借在光電轉(zhuǎn)換效率高和功率性能上的優(yōu)異表現(xiàn)，已經(jīng)成為新一代通信、新能源汽車、量子科技和人工智能等戰(zhàn)略領(lǐng)域的核心器件。

中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長陳南翔表示，近年來，隨著化合物半導(dǎo)體在新能源、汽車、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通、移動(dòng)通信及新型顯示等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用不斷深化和拓展，市場(chǎng)需求呈現(xiàn)出快速增長的趨勢(shì)。在市場(chǎng)需求的牽引、技術(shù)突破、創(chuàng)新的突破，以及產(chǎn)業(yè)鏈的聚集發(fā)展的共同作用下，我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處在高速發(fā)展階段，年復(fù)合增長率達(dá)到30%～50%。

北京大學(xué)理學(xué)部副主任沈波在接受第一財(cái)經(jīng)記者采訪時(shí)表示，我國第三代半導(dǎo)體在光電子、射頻電子和功率電子等領(lǐng)域均建立了較為完整的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)體系。2024年，我國半導(dǎo)體照明行業(yè)產(chǎn)值達(dá)到6250億元，LED芯片產(chǎn)能約475萬片/月，約占全球產(chǎn)能的80%；氮化鎵半導(dǎo)體射頻電子器件廣泛用于5G通信基站，去年全國氮化鎵射頻電子市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到108億元，同比增長4.5%；在新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電源等需求拉動(dòng)下，去年我國功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到176億元，同比增長14.8%，特別是碳化硅功率電子在大功率直流充電樁的滲透率已達(dá)26%左右。

與此同時(shí)，我國第三代半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展布局已基本成型，即以京津冀(含山東)、長三角、珠三角、閩三角為主，并在西安、南昌、武漢、成都、重慶、長沙、長春、大連等中西部和東北核心城市也有聚集和分布。

4年前，武漢以九峰山實(shí)驗(yàn)室為依托，重倉布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。武漢東湖高新區(qū)投促局局長謝齊威向第一財(cái)經(jīng)記者透露，與過去以一到兩個(gè)重大產(chǎn)業(yè)招商項(xiàng)目作為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引爆點(diǎn)有所不同，武漢入局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是以建設(shè)實(shí)驗(yàn)室為原點(diǎn)，通過在周邊布局科技園區(qū)，打造千億級(jí)創(chuàng)新街區(qū)，轉(zhuǎn)化、孵化創(chuàng)新成果，從而形成產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢(shì)能。

短短3年時(shí)間，在九峰山實(shí)驗(yàn)室周圍，集聚了長飛先進(jìn)、先導(dǎo)稀材等一批百億龍頭項(xiàng)目，吸引50余家上下游企業(yè)和3萬多名半導(dǎo)體創(chuàng)新人才聚集，構(gòu)建起“研發(fā)-中試-量產(chǎn)”全鏈條生態(tài)，形成覆蓋材料、器件到封裝檢測(cè)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，去年產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模突破800億元，迅速成為武漢光電子信息產(chǎn)業(yè)的“第二增長曲線”。

九峰山論壇開幕式上，誠芯智聯(lián)全自動(dòng)標(biāo)定研發(fā)生產(chǎn)基地、埃芯半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地、騰景科技高速COB光引擎研發(fā)生產(chǎn)基地、引光聯(lián)創(chuàng)中心項(xiàng)目等一批化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)項(xiàng)目完成現(xiàn)場(chǎng)簽約，總投資額109億元。謝齊威說，武漢正在打造的光谷化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)，規(guī)劃了14平方公里，力爭在未來3年引進(jìn)和培育上下游企業(yè)100家，創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高層次人才超200人。

值得關(guān)注的是，我國第三代半導(dǎo)體已具備從襯底、外延、芯片到封裝模組的全鏈條創(chuàng)新研發(fā)能力，但“整體上與國外還有3年左右的差距，部分領(lǐng)域已并駕齊驅(qū)，少數(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)超越”，沈波直言，第三代半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)量規(guī)模雖已排到世界第一，但高端產(chǎn)品（特別是電子器件領(lǐng)域）差距較大，部分高端產(chǎn)品還是空白。

為此，科技部、工信部等國家部委，以及廣東、江蘇、湖北等地方政府以設(shè)立重大重點(diǎn)專項(xiàng)等方式促進(jìn)我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從實(shí)現(xiàn)“有無”到解決“能用”和“卡脖子”問題。總體目標(biāo)是到2030年實(shí)現(xiàn)年節(jié)電1.5萬億度，全鏈條重點(diǎn)原材料及核心裝備國產(chǎn)化率達(dá)到80%，全鏈條進(jìn)入世界先進(jìn)行列。

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