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跟Intel拼了!臺積電公布全新A14 1.4nm工藝:性能 15%、功耗-30%

本站4月24日消息,臺積電在美國舉辦的北美技術論壇2025上,正式公布了全新的14A 1.4nm級工藝,預計2028年上半年量產,從命名到技術直接對標Intel 14A,后者同樣號稱1.4nm級工藝。

臺積電稱,A14是全新升級的一代工藝節點(非過渡型),對比N2 2nm級工藝,同等功耗下性能可提升10-15%,同等性能下功耗可降低25-30%,邏輯晶體管密度提升最多約23%,芯片密度提升最多約20%。

技術方面,臺積電A14升級第二代GAAFET全環繞納米片晶體管,以及新的標準單元架構NanoFlex Pro,后者可以在設計芯片的時候,針對特定的應用或負載,精細調整晶體管配置,以達成更優的性能、功耗和面積(PPA)。

臺積電A14同時還有新的IP、優化、EDA設計軟件,這些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。

遺憾的是,臺積電A14首發的時候沒有Super Power Rail(SPR)背部供電網絡(BSPDN),這一點和自家的A16、Intel A18/A14截然不同,倒是和自己的N2、N2P一樣。

不過,臺積電承諾會在2029年推出A14工藝的升級版,加入背部供電,性能更好,但成本也會有所增加。

升級版A14暫時沒有名字,可能會叫做A14P。

后期還有可能會演化出更高性能的A14X、更低成本的A14C。

哦對了,臺積電的A16、N2P工藝預計2026年下半年量產。

Intel代工在去年2月份成立的時候,宣布了自己的A14 1.4nm級工藝,業界首次采用全新的High NA EUV光刻機,預計2026年左右推出,屆時又是棋逢對手。

最后透露個小秘密,Intel代工將在下周舉辦新一屆大會,公布最新進展,屆時我將為大家帶來現場一手報道,歡迎關注。

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