本站4月24日消息，除了發展N2、A16、A14等采用GAAFET全環繞晶體管的全新工藝，臺積電還在持續挖掘傳統FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節點仍在不斷演進。
在美國舉辦的北美技術論壇2025上，臺積電最新宣布，3nm級工藝的第三代N3P已經在2024年第四季度投入量產，第四代N3X則會在今年下半年投產。
N3P就是第二代N3E的升級版，面向需要高性能的客戶端、數據中心應用，同時保持IP與設計兼容。
按照官方數據，N3P同等功耗下的性能可再提升約5％，而同等性能下的功耗可再降低5-10％，另外晶體管密度提升4％，尤其是SRAM縮放的提升較為明顯。
蘋果M3、高通驍龍8至尊版、聯發科天璣9400/9400 等都用的N3E工藝，不知道今年的升級換代會不會都上N3P？還是直奔N2？
N3X則是N3P的再次升級版，可繼續將同等功耗性能提升5％，同等性能功耗降低7％。
更關鍵的是，N3X支持最高達1.2V的電壓，從而將頻率、性能挖掘到極致，但代價就是漏電率驟然增大最多250％，因此芯片設計要非常慎重。
根據路線圖，臺積電N3明年還會有N3A、N3C兩個版本，但未做具體介紹，從定位看N3C是超低成本，定位很低。
PS：臺積電N3其實還有個特殊版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客戶中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤種。
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