美東時間周三（4月23日），臺積電在美國的北美技術研討會上發布了其1.4納米級半導體工程技術A14，并承諾該技術將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其N2（2納米級）工藝帶來顯著提升。
這將進一步鞏固臺積電在芯片制造領域的領先地位，并進一步拉大與英特爾等競爭對手的差距。
臺積電公布1.4nm芯片技術制造工藝
A14是臺積電的下一世代制程技術。臺積電稱，其表現將明顯超越當前最先進的3納米制程，以及今年晚些時候即將量產的2納米制程。
臺積電稱，該技術旨在通過提供更快的計算速度和更高的能效來推動人工智能轉型，此外，它還有望通過提升智能手機的內置AI功能，使其更加智能。
據臺積電公布的數據顯示，與即將于今年晚些時候量產的N2工藝相比，A14將在相同功耗下實現高達15%的速度提升，或在相同速度下降低高達30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上。
臺積電聲稱，A14計劃于2028年投產，目前開發進展順利，良率已提前實現。
臺積電董事長兼首席執行官魏哲家表示：
“我們的客戶始終著眼于未來，而臺積電的技術領導力和卓越的制造能力為他們提供了可靠的創新路線圖。臺積電的尖端邏輯技術（例如A14）是連接物理世界和數字世界的全面解決方案的一部分，旨在釋放客戶的創新潛能，推動人工智能的未來發展。”
展望未來，臺積電還計劃依次推出A14P、A14X、A14C等多種版本的衍生工程技術，其中， A14P是包括背側電力供應在內的高性能版本，A14X和A14C將分別以性能最優化型和成本節省型模式進行優化。
此外，臺積電還計劃在2026年底推出A16制程，即采用1.6nm的制程技術。
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