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DDR4之后 三星將逐步停產HBM2E:轉向HBM3E和HBM4

本站4月24日消息,據媒體報道,隨著1y和1z制程8Gb DDR4逐漸停產,三星也將停止其HBM2E產品的生產,目前已進入最后采購階段,接下來會將重點轉向HBM3E和HBM4。

近年來,隨著人工智能、高性能計算和PC對高性能內存需求的快速增長,HBM內存的市場前景廣闊。

但三星在HBM產品開發和銷售上一直落后于SK海力士和美光,為了更好地與競爭對手抗衡,三星需要加快技術迭代,將資源集中到新一代產品上。

三星并非唯一一家進行產品調整的內存巨頭,美光已通知客戶將停止生產服務器用DDR4內存模塊,而SK海力士也被傳將減少DDR4的產量,將其生產比例降至20%。

此外,中國內存廠商的崛起也對三星等傳統巨頭構成了壓力,報道稱,中國廠商的激進定價策略已使2023年至2024年間的平均內存價格下降超過60%。

長鑫存儲已量產16納米DDR5,并計劃在2025年將產能提高到每月18萬片晶圓,目標是在2026年切入LPDDR5和車用DRAM市場,未來進軍HBM也只是時間問題。

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