本站4月29日消息，臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁張曉強(qiáng)對外表示，臺積電A14制程不采用High-NA EUV技術(shù)。
據(jù)悉，臺積電A14制程不引入High-NA EUV光刻技術(shù)，仍然堅持使用原有的EUV光刻設(shè)備，臺積電相信，即便沒有High-NA EUV光刻設(shè)備，A14制程依然可以實現(xiàn)性能、密度、良品率等目標(biāo)。
資料顯示，A14是臺積電的下一世代制程技術(shù)，這是臺積電1.4nm級半導(dǎo)體工程，其表現(xiàn)明顯超越當(dāng)前已經(jīng)商用的3nm工藝和即將商用的2nm工藝。
臺積電公布的數(shù)據(jù)顯示，與N2工藝（2nm）相比，A14在相同功耗下實現(xiàn)高達(dá)15%的速度提升，或在相同速度下降低高達(dá)30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上。
按照臺積電的計劃，A14計劃于2028年投產(chǎn)，除了A14，臺積電還規(guī)劃了A14P、A14X、A14C等多種衍生版本。
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