本站4月30日消息，在今天的晶圓代工業(yè)務(wù)大會(huì)上，Intel公開(kāi)了最新的工藝制程路線圖，并分享了代工業(yè)務(wù)最新進(jìn)展。
Intel披露的數(shù)據(jù)顯示，在2021年提出“四年五個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃至2024年這四年間，Intel在全球的資本支出達(dá)到了900億美元。
其中約180億美元投向了技術(shù)研發(fā)，370億美元投向了晶圓廠設(shè)備支出。
Intel表示，18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而18A之后的下一代14A工藝制程，則將在2027年前后進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段。
14A預(yù)計(jì)將帶來(lái)15%-20%的能效提升，以及芯片密度增加1.3倍，同時(shí)已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片14A測(cè)試芯片。
相對(duì)于Intel 18A采用的PowerVia背面供電技術(shù)，Intel 14A將采用PowerDirect直接觸點(diǎn)供電技術(shù)。
Intel還公布了18A工藝的兩個(gè)變體——18A-P和18A-PT，其中Intel 18A-P將帶來(lái)更卓越的性能，早期試驗(yàn)晶圓目前已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)，并且與Intel 18A的設(shè)計(jì)規(guī)則兼容。
Intel 18A-PT是在Intel 18A-P的性能和能效進(jìn)步基礎(chǔ)上推出的另一種Intel 18A演進(jìn)版本，可通過(guò)Foveros Direct 3D先進(jìn)封裝技術(shù)與頂層芯片連接，混合鍵合互連間距小于5微米。
Foveros Direct 3D目前臺(tái)積電已在生產(chǎn)中使用，最為消費(fèi)者所熟知的就是AMD的3D V-Cache產(chǎn)品。
成熟節(jié)點(diǎn)方面，Intel代工流片的首批基于16納米制程的產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入晶圓廠生產(chǎn)，還正在與主要客戶洽談與UMC合作開(kāi)發(fā)的12納米節(jié)點(diǎn)及其演進(jìn)版本。
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