本站5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項(xiàng)新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì)——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。
這兩種設(shè)計(jì)分別采用單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構(gòu)，預(yù)計(jì)將于2026年生產(chǎn)概念驗(yàn)證測(cè)試芯片，并將提供比當(dāng)前普通DRAM模塊10倍的容量。
基于NEO的3D X-DRAM技術(shù)，新設(shè)計(jì)的內(nèi)存單元能夠在單一模塊上容納512Gb（64GB）的容量，這比目前市面上任何模塊至少多出10倍。
在NEO的測(cè)試模擬中，這些單元的讀寫速度達(dá)到10納秒，保留時(shí)間超過9分鐘，這兩項(xiàng)性能指標(biāo)均處于當(dāng)前DRAM能力的前沿。
新設(shè)計(jì)采用了基于氧化銦鎵鋅（IGZO）的材料，1T1C和3T0C單元可以像3D NAND一樣構(gòu)建，采用堆疊設(shè)計(jì)，從而提高容量和吞吐量，同時(shí)保持節(jié)能狀態(tài)。
NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正在重新定義內(nèi)存技術(shù)的可能性。這項(xiàng)創(chuàng)新突破了當(dāng)今DRAM的擴(kuò)展限制，使NEO成為下一代內(nèi)存的領(lǐng)導(dǎo)者。”
NEO Semiconductor計(jì)劃在本月的IEEE國際存儲(chǔ)器研討會(huì)上分享更多關(guān)于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產(chǎn)品的信息。
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