本站6月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，近日ASML CEO接受媒體采訪時表示，中國早已研發(fā)國產(chǎn)光刻設備。
在這位CEO看來，盡管中國在趕超ASML的技術(shù)方面還有很長的路要走，但美國出臺的打壓措施只會適得其反，讓中國“更努力取得成功”。他還稱，與其打壓中國等競爭對手，不如將注意力放在創(chuàng)新上。
“中國已經(jīng)開始研發(fā)一些國產(chǎn)光刻設備，盡管中國在趕超ASML的技術(shù)方面還有很長的路要走，但你試圖阻止的人會更加努力地取得成功。”
在這之前，中國科學院成功研發(fā)除了突破性的固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。
中國科學院的這種技術(shù)最終獲得的激光平均功率為70mW，頻率為6kHz，線寬低于880MHz，半峰全寬(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一納米)，光譜純度與現(xiàn)有商用準分子激光系統(tǒng)相當。
基于此，甚至可用于3nm的工藝節(jié)點。
這種設計可以大幅降低光刻系統(tǒng)的復雜度、體積，減少對于稀有氣體的依賴，并大大降低能耗。
相關(guān)技術(shù)已經(jīng)在國際光電工程學會(SPIE)的官網(wǎng)上公布。這種全固態(tài)DUV光源技術(shù)雖然在光譜純度上已經(jīng)和商用標準相差無幾，但是輸出功率、頻率都還低得多。
對比ASML的技術(shù)，頻率贏達到了約2/3，但輸出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要繼續(xù)迭代、提升才能落地。
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